3~27W PoE SMD Hochfrequenz PD-Transformator, 8PIN & 10PIN SMD-Gehäuse, für PoE-Anwendungen / Über 32 Jahre Hersteller von Stromversorgungen und magnetischen Bauteilen | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

3W~27W PoE SMD Hochfrequenztransformator / YDS wurde 1990 in Tainan, Taiwan gegründet und unsere Fabrik Ho Mao Electronics wurde 1995 in Xiamen, China gegründet. Wir sind der führende Elektronikhersteller mit ISO 9001, ISO 14001 und IATF16949 Zertifizierung.

Hocheffizienter Leistungstransformator, unterstützt PoE bis zu 27W, EPC-Kernserienkomponentenhersteller, SMD8, 10 Gehäuse - 3W~27W PoE SMD Hochfrequenztransformator
  • Hocheffizienter Leistungstransformator, unterstützt PoE bis zu 27W, EPC-Kernserienkomponentenhersteller, SMD8, 10 Gehäuse - 3W~27W PoE SMD Hochfrequenztransformator

Hocheffizienter Leistungstransformator, unterstützt PoE bis zu 27W, EPC-Kernserienkomponentenhersteller, SMD8, 10 Gehäuse

PoE EP-Serie

3~27W PoE SMD Hochfrequenz PD-Transformator, 8PIN & 10PIN SMD-Gehäuse, für PoE-Anwendungen

Transformatoren sind für eine Schaltfrequenz von 200KHz ausgelegt. Die EP-Serie hat eine PoE-Funktion, der Leistungsbereich liegt bei 3~27W. Es gibt eine große Auswahl an Größen und Werten zur Auswahl.

YUAN DEAN kann effiziente Produktionslösungen und maßgeschneiderte Produkte anbieten.

Funktionen
  • Transformatoren für Power over Ethernet (PoE).
  • Entwickelt für eine Schaltfrequenz von 200KHz.
  • Leistung: 3W ~ 27W
  • Hipot-Spannung: 1500 Vrms
  • Maßgeschneiderte Designs verfügbar.
Anwendungen
  • Computer-Ausrüstung.
  • Internet-Ausrüstung.
  • AC-Hauptstromversorgungssystem.
  • Industrielle Steuerung.
  • Telekommunikationsausrüstung.
Spezifikation
  • Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +125°C
  • Lagertemperaturbereich: -55°C bis +125°C
  • Löt-Reflow-Temperatur: +245°C maximal 10 Sekunden
  • RoHS-konforme Version ist verfügbar.
EP7 8PIN SMD
Teilenummer Übersetzungsverhältnis
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
Eingabe LK ③
Max (uH)
DCR ④
(Max. Ohm)
Ausgangsspannung
Pri Aux Sek
07SEP-5011SNL 1:0.083:0.208 500 33 ~ 57V, 200KHZ 7,5 1.75 0.215 0.015 Vo=3.3V/3W, 8V/20mA
07SEP-3111SNL 1:0,182:0,682 310 33 ~ 57V, 200KHZ 5,0 1.60 2.60 0,045 Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07SEP-5012SNL 1:0.125:0.208 500 33 ~ 57V, 200KHZ 7,5 1.75 0.215 0.035 Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07SEP-3112SNL 1:0.273:0.682 310 33 ~ 57V, 200KHZ 5,0 1.60 2.65 0.087 Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07SEP-5211SNL 1:0.286:0.204 521 33 ~ 57V, 200KHZ 7,5 1.75 0.22 0,100 Vo=12V/3W, 8V/20mA
07SEP-3113SNL 1:0,682:0,682 310 33 ~ 57V, 200KHZ 5,0 1.60 2.60 0,55 Vo=12V/3W, 12V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis ist mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
② L(NOM) = Nenninduktivität bezieht sich auf die Primärwicklung, gemessen bei 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Die Streuinduktivität wird zwischen den anderen kurzgeschlossenen Pins der Primärwicklung gemessen.
④ DCR für die parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
⑤ Der Ausgang ist mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.

EP10 8PIN SMD
Teilenummer Übersetzungsverhältnis
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
Eingabe LK ③
Max (uH)
DCR ④
(Max. Ohm)
Schematisch Ausgangsspannung
Pri Aux Sek
10SEP-2502TNL 1:0.100:0.150 25,2 36 ~ 72V,
300KHZ
2.0 0,25 0,02 0,0035 B Vo=3,3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL 1:0.083:0.208 253 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0,42 0,115 0,0075 A Vo=3,3V/7W, 8V/20mA
10SEP-1511SNL 1:0,182:0,682 155 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0,53 0,90 0,031 A Vo=3,3V/7W, 12V/20mA
10SEP-2001SNL 1:0,222:0,555 20,4 9 ~ 50V,
200KHZ
1,5 0,08 0,15 0,0075 A Vo=3,3V/10W, 8V/20mA
10SEP-2001FNL 1:0,444:0,388 20,4 9 ~ 50V,
200KHZ
1,5 0,08 0,105 0,03 A Vo=3,3V/10W, 5V/20mA
10SEP-2513SNL 1:0.125:0.208 253 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0,42 0,115 0.016 A Vo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL 1:0.273:0.682 155 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0.57 1.00 0.040 A Vo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL 1:0.286:0.204 264 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0,80 0,115 0,045 A Vo=12V/7W, 8V/20mA
10SEP-1611SNL 1:0,682:0,682 155 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0,54 0,92 0,37 A Vo=12V/7W, 12V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis ist mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
② L(NOM) = Nenninduktivität ist für die Primärwicklung, gemessen bei 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Die Streuinduktivität wird zwischen der Primärwicklung und den anderen kurzgeschlossenen Pins gemessen.
④ DCR für die parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
⑤ Der Ausgang erfolgt mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.

EP13 10PIN SMD
Teilenummer Übersetzungsverhältnis
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
Eingabe LK ③
Max (uH)
DCR ④
(Max. Ohm)
Schematisch Ausgangsspannung
Pri Aux Sek
13SEP-1213ZNL 1:0.083:0.208 127 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0,44 0,088 0,006 A Vo=3,3V/13,5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL 1:0,167:0,639 155,5 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0,33 0,65 0,011 B Vo=3,3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL 1:0,182:0,682 77,4 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0,10 0,27 0,0085 A Vo=3,3V/13,5W, 12V/20mA
13SEP-1212ZNL 1:0.125:0.208 127 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0.46 0.094 0.012 A Vo=5V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7701ZNL 1:0.273:0.682 77,4 33 ~ 57V,
200KHZ
0.8 0.22 0,25 0,018 A Vo=5V/13,5W, 12V/20mA
13SEP-1211ZNL 1:0,292:0,208 127 33 ~ 57V,
200KHZ
7,5 0.46 0.094 0,055 A Vo=12V/13,5W, 8V/20mA
13SEP-7802ZNL 1:0,682:0,682 77,4 33 ~ 57V,
200KHZ
5,0 0,10 0,27 0,075 A Vo=12V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-2801ZNL 1:0.470:0.294 28.9 33 ~ 57V,
200KHZ
1.0 0.058 0,055 0.027 A Vo=15V/27W, 8V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis ist mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
② L(NOM) = Nenninduktivität ist für die Primärwicklung, gemessen bei 200KHz, 0.2Vrms, 0Adc.
③ Die Streuinduktivität wird zwischen der Primärwicklung und den anderen Pins gemessen, die kurzgeschlossen sind.
④ DCR für die parallel geschalteten Sekundärwicklungen.
⑤ Der Ausgang ist mit den parallel geschalteten Sekundärwicklungen.

Zertifizierung
Mechanik und Abmessungen
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Hocheffizienter Leistungstransformator, unterstützt PoE bis zu 27W, EPC-Kernserienkomponentenhersteller, SMD8, 10 Gehäuse - 3~27W PoE SMD Hochfrequenz PD-Transformator, 8PIN & 10PIN SMD-Gehäuse, für PoE-Anwendungen | Taiwan-basiertes Unternehmen für Stromversorgung und magnetische Komponenten | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Mit Sitz in Taiwan seit 1990 ist YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ein Hersteller von Stromwandlern, Transformatoren und magnetischen Komponenten in der Elektronikindustrie. Ihre Hauptprodukte umfassen Hochleistungsstromtransformatoren, unterstützen PoE bis zu 27W, EPC-Core-Serie Komponentenhersteller, SMD8, 10 Gehäuse, DC-DC-Wandler, AC-DC-Wandler, RJ45-Magnetik, Wandlertransformatoren, LAN-Filter, Hochfrequenztransformatoren, POE-Transformatoren, Induktivitäten und LED-Treiber, die RoHS-zertifiziert sind und ein ERP-System implementiert haben.

YDS wurde 1990 in Tainan, Taiwan gegründet und unsere Fabrik Ho Mao Electronics wurde 1995 in Xiamen, China gegründet. Wir sind der führende Elektronikhersteller mit ISO 9001, ISO 14001 und IATF16949 zertifiziert. Wir produzieren verschiedene Produkte wie DC/DC-Wandler, AC/DC-Wandler, RJ45 mit Magneten, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T LAN-Filter, alle Arten von Transformatoren, Beleuchtungsprodukte und Powerbanks. ISO 9001 & ISO 14001, IATF16949 zertifizierter Leistungswandler, Hochfrequenztransformator, magnetisches Bauteil mit zuverlässigen EMC- und EMI / EMS / EDS-Labortests. Stromwandlerlösungen für Medizin, Eisenbahn, POE usw.

YDS bietet seinen Kunden hochwertige Stromversorgungs- und magnetische Komponenten an. Mit fortschrittlicher Technologie und 25 Jahren Erfahrung stellt YDS sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.