Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP - Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W | Fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos con sede en Taiwán | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Los transformadores están diseñados para una frecuencia de conmutación de 200 kHz. La serie EP tiene función PoE, con un rango de potencia de 3 a 27 W. Hay una amplia variedad de tamaños y valores para elegir.
'Yuan Dean' puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.YDS es un transformador de alta frecuencia SMD de 3W~27W de alta calidad con núcleo EP, fabricado por Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W en Taiwán desde 1990.Producimos diversos productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnéticos, filtros LAN Base-T de 10/100/1G/2.5G/10G, todo tipo de transformadores, inductores, controladores de LED/productos de iluminación y bancos de energía.
Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP
Serie PoE EP
Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W
Los transformadores están diseñados para una frecuencia de conmutación de 200 kHz. La serie EP tiene función PoE, con un rango de potencia de 3 a 27 W. Hay una amplia variedad de tamaños y valores para elegir.
'Yuan Dean' puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.
Características
- Transformadores para alimentación a través de Ethernet (PoE).
- Diseñado para una frecuencia de conmutación de 200KHz.
- Potencia: 3W ~ 27W
- Voltaje de prueba de aislamiento: 1500 Vrms
- Diseños personalizados disponibles.
Aplicaciones
- equipo de computación.
- equipo de Internet.
- sistema de suministro de energía principal de CA.
- controles industriales.
- equipo de telecomunicaciones.
Especificación
- Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -55°C a +125°C
- Temperatura de reflujo de soldadura: +245°C durante un máximo de 10 segundos
- Disponible versión compatible con RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre los pines del primario cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP10 8PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 10SEP-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida se realiza con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP13 10PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 13SEP-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | B | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | A | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | A | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | A | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | A | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200 kHz, 0.2 Vrms, 0 Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
Certificación
- Mecánica y dimensiones
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP7 8PIN)
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP10 8PIN)
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP13 10PIN)
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Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP - Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W | Fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos con sede en Taiwán | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Con sede en Taiwán desde 1990, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ha sido un fabricante de convertidores de energía, transformadores y componentes magnéticos en la industria de componentes electrónicos. Sus principales productos incluyen transformadores de alta frecuencia SMD PoE de 3W a 27W con núcleo EP, convertidores DC-DC, convertidores AC-DC, magnéticos RJ45, transformadores convertidores, filtros LAN, transformadores de alta frecuencia, transformadores PoE, inductores y controladores LED, los cuales están aprobados por RoHS con la implementación del sistema ERP.
YDS fue establecido en 1990 en Tainan, Taiwán y nuestra fábrica Ho Mao electronics fue establecida en 1995 en Xiamen, China. Somos el principal fabricante de electrónicos con certificación ISO 9001, ISO 14001 e IATF16949. Producimos diversos productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnéticos, filtros Lan de 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, todo tipo de transformadores, inductores, controladores de LED/productos de iluminación y power bank. Convertidor de energía certificado ISO 9001 y ISO 14001, IATF16949, transformador de alta frecuencia y componente magnético con pruebas confiables de EMC y EMI / EMS / EDS en laboratorio. Soluciones de convertidores de energía para aplicaciones médicas, ferroviarias, POE, etc.
YDS ha estado ofreciendo a los clientes componentes de suministro de energía y magnéticos de alta calidad, tanto con tecnología avanzada como con 25 años de experiencia, YDS garantiza que se cumplan las demandas de cada cliente.