Transformador de potencia de alta eficiencia, soporte PoE de hasta 27W, fabricante de componentes de núcleo EPC, paquete SMD8、10
Serie PoE EP
Transformador PD SMD de alta frecuencia PoE 3~27W, paquete SMD de 8PIN y 10PIN, para aplicaciones PoE
Los transformadores están diseñados para una frecuencia de conmutación de 200KHz. La serie EP tiene función PoE, el rango de potencia es de 3~27W. Hay una amplia variedad de tamaños y valores para elegir.
YUAN DEAN puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.
Características
- Transformadores para alimentación a través de Ethernet (PoE).
- Diseñado para una frecuencia de conmutación de 200KHz.
- Potencia: 3W ~ 27W
- Voltaje de hipot: 1500 Vrms
- Diseños personalizados disponibles.
Aplicaciones
- equipo informático.
- equipo de Internet.
- sistema de suministro de energía principal de CA.
- controles industriales.
- equipo de telecomunicaciones.
Especificación
- Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -55°C a +125°C
- Temperatura de reflujo de soldadura: +245°C durante un máximo de 10 segundos
- Versión compatible con RoHS disponible.
EP7 8PIN SMD
| Número de parte | Relación de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Max (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Tensión de Salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = La inductancia nominal es para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ La inductancia de fuga se mide entre los otros pines del primario cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP10 8PIN SMD
| Número de parte | Relación de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Max (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Tensión de Salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 10SEP-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = La inductancia nominal es para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ La inductancia de fuga se mide entre el primario con otros pines en cortocircuito.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP13 10PIN SMD
| Número de parte | Relación de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Max (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Tensión de Salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 13SEP-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | B | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | A | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | A | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | A | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | A | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = La inductancia nominal es para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.2Vrms, 0Adc.
③ La inductancia de fuga se mide entre el primario con otros pines en cortocircuito.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
Certificación

- Mecánicos y Dimensiones
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Transformador de Alta Frecuencia para Solución PoE Serie PoE EP
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Transformador de potencia de alta eficiencia, soporte PoE de hasta 27W, fabricante de componentes de núcleo EPC, paquete SMD8、10 - Transformador PD SMD de alta frecuencia PoE 3~27W, paquete SMD de 8PIN y 10PIN, para aplicaciones PoE | Fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos con sede en Taiwán | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Con sede en Taiwán desde 1990, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ha sido un fabricante de convertidores de potencia, transformadores y componentes magnéticos en la industria de componentes electrónicos. Sus productos principales incluyen transformadores de potencia de alta eficiencia, soporte PoE de hasta 27W, fabricante de componentes de la serie EPC Core, paquetes SMD8 y 10, convertidores DC-DC, convertidores AC-DC, magnéticos RJ45, transformadores convertidores, filtros LAN, transformadores de alta frecuencia, transformadores POE, inductores y controladores LED, que están aprobados por RoHS con un sistema ERP implementado.
YDS se estableció en 1990 en Tainan, Taiwán y nuestra fábrica Ho Mao electronics se estableció en 1995 en Xiamen, China. Somos el fabricante electrónico líder con certificaciones ISO 9001, ISO 14001 e IATF16949. Producimos varios productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnetismo, filtro de Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, todo tipo de transformadores, productos de iluminación y bancos de energía. Convertidor de potencia certificado ISO 9001 y ISO 14001, transformador de alta frecuencia, componente magnético con pruebas de laboratorio confiables de EMC y EMI / EMS / EDS. Soluciones de convertidores de potencia para médico, ferroviario, POE, etc.
YDS ha estado ofreciendo a los clientes fuentes de alimentación y componentes magnéticos de alta calidad, tanto con tecnología avanzada como con 25 años de experiencia, YDS asegura que se satisfagan las demandas de cada cliente.










