ترانسفورماتور توان فرکانس بالا SMD PoE 3~27W / بیش از 32 سال تولید کننده قدرت و قطعات مغناطیسی | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W / YDS در سال 1990 در تاینان، تایوان تأسیس شد و کارخانه ما، هو مائو الکترونیک، در سال 1995 در شیامن، چین تأسیس شد. ما تولید کننده برتر الکترونیک با گواهینامه های ISO 9001، ISO 14001 و IATF16949 هستیم.

ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W با هسته EP - ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W
  • ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W با هسته EP - ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W

ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W با هسته EP

سری EP PoE

ترانسفورماتور توان فرکانس بالا SMD PoE 3~27W

ترانسفورماتورها برای فرکانس سوئیچینگ 200 کیلوهرتز طراحی شده‌اند. سری EP دارای قابلیت PoE است و محدوده توان آن 3 تا 27 وات است. اندازه و مقادیر متنوعی برای انتخاب وجود دارد.

YUAN DEAN می‌تواند راهکارهای تولید با کارایی بالا و محصولات سفارشی ارائه دهد.

ویژگی ها
  • ترانسفورماتورهای برق برای پاور اور اترنت (PoE).
  • طراحی شده برای فرکانس سوئیچینگ 200 کیلوهرتز.
  • قدرت: 3 وات تا 27 وات
  • ولتاژ هیپوت: 1500 ولت RMS
  • طرح های سفارشی در دسترس است.
برنامه‌ها
  • تجهیزات کامپیوتری.
  • تجهیزات اینترنتی.
  • سیستم تامین برق اصلی AC.
  • کنترل صنعتی.
  • تجهیزات مخابراتی.
مشخصات فنی
  • محدوده دمای عملیاتی: -40 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد
  • محدوده دمای ذخیره سازی: -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد
  • دمای بازسازی لحیم: +245 درجه سانتیگراد برای حداکثر 10 ثانیه
  • نسخه مطابق با استاندارد RoHS در دسترس است.
EP7 8PIN SMD
شماره قطعهنسبت چرخش
اولویت:ثانویه:کمکی
ل ②
(یو اچ ± 10٪)
ورودیLK ③
حداکثر (میکروهنری)
DCR ④
(حداکثر اهم)
ولتاژ خروجی
اولیدومیسومی
۰۷سپتامبر-۵۰۱۱اس‌ان‌ال1:0.083:0.208۵۰۰۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۷.۵۱.۷۵۰.۲۱۵۰.۰۱۵وی=۳.۳ ولت/۳ وات، ۸ ولت/۲۰ میلی‌آمپر
۰۷سپتامبر-۳۱۱۱اس‌ان‌ال۱:۰.۱۸۲:۰.۶۸۲۳۱۰۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۵.۰۱.۶۰۲.۶۰۰.۰۴۵Vo=۳.۳V/۳W، ۱۲V/۲۰mA
۰۷SEP-۵۰۱۲SNL۱:۰.۱۲۵:۰.۲۰۸۵۰۰۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۷.۵۱.۷۵۰.۲۱۵۰.۰۳۵Vo=۵.۰۰V/۳W، ۸V/۲۰mA
۰۷SEP-۳۱۱۲SNL۱:۰.۲۷۳:۰.۶۸۲۳۱۰۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۵.۰۱.۶۰۲.۶۵۰.۰۸۷Vo=۵.۰۰V/۳W، ۱۲V/۲۰mA
۰۷SEP-۵۲۱۱SNL۱:۰.۲۸۶:۰.۲۰۴۵۲۱۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۷.۵۱.۷۵۰٫۲۲۰.۱۰۰Vo=۱۲V/۳W، ۸V/۲۰mA
۰۷سپتامبر-۳۱۱۳اس‌ان‌ال۱:۰.۶۸۲:۰.۶۸۲۳۱۰۳۳ ~ ۵۷ ولت، ۲۰۰ کیلوهرتز۵.۰۱.۶۰۲.۶۰۰.۵۵Vo=۱۲V/۳W، ۱۲V/۲۰mA

① نسبت تبدیل با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.
② L(NOM) = اندازه گیری اندازه نامی برای پیچ اصلی، در فرکانس 200 کیلوهرتز، 0.1 ولت RMS، 0 آمپر DC.
③ اندازه گیری اندازه نشتی بین پیچ اصلی و سایر پین ها کوتاه شده است.
④ مقاومت DC برای پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.
⑤ خروجی با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.

EP10 8PIN SMD
شماره قطعهنسبت چرخش
اولویت:ثانویه:کمکی
ل ②
(یو اچ ± 10٪)
ورودیLK ③
حداکثر (میکروهنری)
DCR ④
(حداکثر اهم)
نمایشگرولتاژ خروجی
اولیدومیسومی
10SEP-2502TNL1:0.100:0.15025.236 ~ 72 ولت،
300 کیلوهرتز
۲.۰۰٫۲۵۰.۰۲۰.۰۰۳۵بVo=۳.۳V/۱۰W، ۵V/۱۰۰mA
۱۰SEP-۲۵۱۲SNL1:0.083:0.208۲۵۳۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۴۲۰.۱۱۵۰.۰۰۷۵AVo=۳.۳V/۷W، ۸V/۲۰mA
۱۰سپتامبر-۱۵۱۱SNL۱:۰.۱۸۲:۰.۶۸۲۱۵۵۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۵۳۰.۹۰۰.۰۳۱AVo=۳.۳V/۷W، ۱۲V/۲۰mA
۱۰سپتامبر-۲۰۰۱SNL۱:۰.۲۲۲:۰.۵۵۵۲۰.۴۹ ~ ۵۰ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۱.۵۰.۰۸۰.۱۵۰.۰۰۷۵AVo=۳.۳V/۱۰W، ۸V/۲۰mA
۱۰SEP-۲۰۰۱FNL۱:۰.۴۴۴:۰.۳۸۸۲۰.۴۹ ~ ۵۰ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۱.۵۰.۰۸۰.۱۰۵۰.۰۳AVo=۳.۳V/۱۰W، ۵V/۲۰mA
۱۰SEP-۲۵۱۳SNL۱:۰.۱۲۵:۰.۲۰۸۲۵۳۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۴۲۰.۱۱۵۰.۰۱۶AVo=۵V/۷W، ۸V/۲۰mA
۱۰SEP-۱۵۱۲SNL۱:۰.۲۷۳:۰.۶۸۲۱۵۵۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۵۷۱.۰۰۰.۰۴۰AVo=۵V/۷W، ۱۲V/۲۰mA
۱۰SEP-۲۶۱۱SNL۱:۰.۲۸۶:۰.۲۰۴۲۶۴۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۸۰۰.۱۱۵۰.۰۴۵AVo=۱۲V/۷W، ۸V/۲۰mA
۱۰SEP-۱۶۱۱SNL۱:۰.۶۸۲:۰.۶۸۲۱۵۵۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۵۴۰.۹۲۰.۳۷AVo=۱۲V/۷W، ۱۲V/۲۰mA

① نسبت تبدیل با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.
② L(NOM) = اندازه گیری اندازه نامی برای پیچ اصلی در فرکانس 200 کیلوهرتز، 0.1 ولت RMS، 0 آمپر DC.
③ اندازه گیری اندازه نشتی بین پیچ اصلی با سایر پین ها کوتاه شده است.
④ DCR برای پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.
⑤ خروجی با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل می شود.

EP13 10PIN SMD
شماره قطعهنسبت چرخش
اولویت:ثانویه:کمکی
ل ②
(یو اچ ± 10٪)
ورودیLK ③
حداکثر (میکروهنری)
DCR ④
(حداکثر اهم)
نمایشگرولتاژ خروجی
اولیدومیسومی
13 سپتامبر-1213ZNL1:0.083:0.208127۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۴۴۰.۰۸۸۰.۰۰۶AVo=۳.۳V/۱۳.۵W، ۸V/۲۰mA
۱۳SEP-۱۶۱۱AUNL۱:۰.۱۶۷:۰.۶۳۹۱۵۵.۵۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۳۳۰.۶۵۰.۰۱۱بVo=۳.۳V/۱۱W، ۱۲V/۲۰mA
۱۳SEP-۷۸۰۱ZNL۱:۰.۱۸۲:۰.۶۸۲۷۷.۴۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۱۰۰.۲۷۰.۰۰۸۵AVo=۳.۳V/۱۳.۵W، ۱۲V/۲۰mA
۱۳SEP-۱۲۱۲ZNL۱:۰.۱۲۵:۰.۲۰۸127۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۴۶۰.۰۹۴۰.۰۱۲AVo=۵V/۱۳.۵W، ۸V/۲۰mA
۱۳SEP-۷۷۰۱ZNL۱:۰.۲۷۳:۰.۶۸۲۷۷.۴۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۰٫۸۰٫۲۲۰٫۲۵۰٫۰۱۸AVo=۵V/۱۳٫۵W، ۱۲V/۲۰mA
۱۳SEP-۱۲۱۱ZNL۱:۰٫۲۹۲:۰٫۲۰۸127۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۷.۵۰.۴۶۰.۰۹۴۰٫۰۵۵AVo=۱۲V/۱۳٫۵W، ۸V/۲۰mA
۱۳SEP-۷۸۰۲ZNL۱:۰.۶۸۲:۰.۶۸۲۷۷.۴۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۵.۰۰.۱۰۰.۲۷۰.۰۷۵AVo=۱۲V/۱۳.۵W، ۱۲V/۲۰mA
۱۳SEP-۲۸۰۱ZNL۱:۰.۴۷۰:۰.۲۹۴۲۸.۹۳۳ ~ ۵۷ ولت،
۲۰۰ کیلوهرتز
۱.۰۰.۰۵۸۰٫۰۵۵۰.۰۲۷AVo=۱۵V/۲۷W، ۸V/۲۰mA

① نسبت تبدیل با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل می شود.
② L(NOM) = اندازه گیری اندازه نامی برای پیچ اصلی، در فرکانس 200 کیلوهرتز، 0.2 ولت RMS، 0 آمپر DC.
③ اندازه گیری اندازه نشتی بین پری با سایر پین ها کوتاه شده.
④ DCR برای پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل شده است.
⑤ خروجی با پیچ های ثانویه به صورت موازی متصل می شود.

گواهی
مکانیک و ابعاد
محصولات مرتبط
ترانسفورماتور سیمی فرکانس بالا PoE SMD با پلتفرم‌های EFD15-SMT - ترانسفورماتور سیمی فرکانس بالا PoE با پلتفرم‌های EFD15-SMT
ترانسفورماتور سیمی فرکانس بالا PoE SMD با پلتفرم‌های EFD15-SMT
سری 15SEFD

ترانسفورماتور سیمی فرکانس بالا با پلتفرم‌های EFD15-SMT....

جزئیات
ترانسفورماتور با فرکانس بالا و SMD و پلتفرم EFD20 - SMT و قابلیت PoE - ترانسفورماتور سیمی با فرکانس بالا و پلتفرم EFD20 - SMT و قابلیت PoE
ترانسفورماتور با فرکانس بالا و SMD و پلتفرم EFD20 - SMT و قابلیت PoE
سری 20SEFD

ترانسفورماتور با فرکانس بالا با پلتفرم EFD20 - SMT و قابلیت...

جزئیات
دانلود فایل‌ها
ترانسفورماتور فرکانس بالا برای راه حل PoE سری PoE EP
ترانسفورماتور فرکانس بالا برای راه حل PoE سری PoE EP

کاتالوگ PDF ترانسفورماتور SMD فرکانس بالا برای راه حل PoE ۳~۲۷ وات

دانلود

محصولات

ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W با هسته EP - ترانسفورماتور توان فرکانس بالا SMD PoE 3~27W | تولید کننده منابع تغذیه و قطعات مغناطیسی مستقر در تایوان | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

با مشتمل بر تایوان از سال ۱۹۹۰، YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. یک تولید کننده تبدیل کننده برق، ترانسفورماتور و اجزای مغناطیسی در صنعت قطعات الکترونیکی بوده است. محصولات اصلی آنها شامل ترانسفورماتور فرکانس بالا SMD PoE 3W~27W با هسته EP، تبدیل کننده DC-DC، تبدیل کننده AC-DC، مغناطیس RJ45، ترانسفورماتور تبدیل کننده، فیلترهای LAN، ترانسفورماتورهای فرکانس بالا، ترانسفورماتورهای POE، اینداکتورها و درایورهای LED است که با سیستم ERP تأیید شده و دارای استاندارد RoHS می باشند.

YDS در سال ۱۹۹۰ در تاینان، تایوان تأسیس شد و کارخانه ما، هو مائو الکترونیک، در سال ۱۹۹۵ در شیامن، چین تأسیس شد. ما تولید کننده برتر الکترونیک با گواهینامه های ISO 9001، ISO 14001 و IATF16949 هستیم. ما محصولات مختلفی مانند تبدیل کننده DC/DC، تبدیل کننده AC/DC، RJ45 با مغناطیس، فیلتر Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T، انواع ترانسفورماتور، اینداکتور، درایور LED/محصولات روشنایی و پاور بانک تولید می کنیم. تبدیل کننده قدرت، ترانسفورماتور فرکانس بالا و اجزای مغناطیسی با گواهینامه های ISO 9001 و ISO 14001 و IATF16949، با آزمایشات EMC و EMI / EMS / EDS قابل اعتماد. راهکارهای تبدیل قدرت برای پزشکی، راه آهن، POE و غیره.

YDS با ارائه قطعات برق و مغناطیسی با کیفیت بالا به مشتریان، همراه با فناوری پیشرفته و 25 سال تجربه، تضمین می‌کند که تمامی نیازهای هر مشتری برآورده می‌شود.