SMD трансформатор PoE высокой эффективности, PoE до 27W - 3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE | Производитель источников питания и магнитных компонентов на Тайване | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Трансформаторы разработаны для частоты переключения 200 кГц. Серия EP имеет функцию PoE, диапазон мощности составляет 3~27W. Есть широкий выбор размеров и значений на выбор.
YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты. YDS является высококачественным SMD трансформатором PoE с высокой эффективностью, PoE до 27W, 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты производителем из Тайваня с 1990 года.Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитами, фильтр Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, всевозможные трансформаторы, осветительные продукты и Power bank.
SMD трансформатор PoE высокой эффективности, PoE до 27W
Серия PoE EP
3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE
Трансформаторы разработаны для частоты переключения 200 кГц. Серия EP имеет функцию PoE, диапазон мощности составляет 3~27W. Есть широкий выбор размеров и значений на выбор.
YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.
Особенности
- Трансформаторы для питания по Ethernet (PoE).
- Разработаны для частоты переключения 200 кГц.
- Мощность: 3W ~ 27W
- Напряжение Hipot: 1500 Vrms
- Доступны индивидуальные разработки.
Применения
- компьютерное оборудование.
- интернет-оборудование.
- Система питания переменного тока.
- промышленное управление.
- телекоммуникационное оборудование.
Спецификация
- Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
- Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
- Температура повторного пайки: +245°C максимум 10 секунд
- Доступна версия, соответствующая RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Номер детали | Коэффициент поворота При:Сек:Доп ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс (uH) | DCR ④ (Максимум Ом) | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Доп | Сек | ||||||
| 07СЕН-5011СНЛ | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА |
| 07СЕН-3111СНЛ | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07СЕН-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07СЕН-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07СЕН-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12В/3Вт, 8В/20мА |
| 07СЕН-3113СНЛ | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12В/3Вт, 12В/20мА |
① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между другими зажатыми выводами первичной обмотки.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с параллельно соединенными вторичными обмотками.
EP10 8PIN SMD
| Номер детали | Коэффициент поворота При:Сек:Доп ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс (uH) | DCR ④ (Максимум Ом) | Схема | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Доп | Сек | |||||||
| 10СЕН-2502ТНЛ | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72В, 300КГц | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10СЕН-1511СНЛ | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3В/7Вт, 12В/20мА |
| 10СЕН-2001СНЛ | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10СЕН-2001ФНЛ | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10СЕН-2513СНЛ | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5В/7Вт, 8В/20мА |
| 10СЕН-1512СНЛ | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5В/7Вт, 12В/20мА |
| 10СЕН-2611СНЛ | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12В/7Вт, 8В/20мА |
| 10СЕН-1611СНЛ | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12В/7Вт, 12В/20мА |
① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200 кГц, 0,1 В rms, 0 A dc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткими другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с подключенными параллельно вторичными обмотками.
EP13 10PIN SMD
| Номер детали | Коэффициент поворота При:Сек:Доп ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс (uH) | DCR ④ (Максимум Ом) | Схема | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Доп | Сек | |||||||
| 13СЕН-1213ЗНЛ | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13СЕН-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | B | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13СЕН-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5В/13.5Вт, 8В/20мА |
| 13СЕН-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | A | Vo=5В/13.5Вт, 12В/20мА |
| 13СЕН-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | A | Vo=12В/13.5Вт, 8В/20мА |
| 13СЕН-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | A | Vo=12В/13.5Вт, 12В/20мА |
| 13СЕН-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57В, 200КГц | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | A | Vo=15В/27Вт, 8В/20мА |
① Соотношение витков с подключенными параллельно вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.2Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткозамкнутыми другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, подключенных параллельно.
⑤ Выход с подключенными параллельно вторичными обмотками.
Сертификация
- Механические характеристики и размеры
Механические характеристики и размеры PoE EP серии (EP7 8PIN)
Механика и размеры серии PoE EP (EP10 8PIN)
Механика и размеры серии PoE EP (EP13 10PIN)
- Связанные продукты
Трансформатор высокой частоты, PoE до 60W, SMD с платформами EFD15 - SMT
Серия 15SEFD
Трансформатор с высокой частотой с обмоткой провода...
Подробности
Трансформатор высокой частоты, PoE до 95W, SMD с платформами EFD20 - SMT
Серия 20SEFD
Трансформатор высокой частоты имеет платформы EFD20-SMT...
ПодробностиSMD трансформатор PoE высокой эффективности, PoE до 27W
Серия PoE EP
Трансформаторы разработаны для частоты переключения...
Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор с ферритовым сердечником EE
Серия EE
Высокочастотный трансформатор доступен в корпусах...
Подробности
Низкопрофильный высокочастотный трансформатор, производитель компонентов серии сердечников EPC
Серия EPC
Высокочастотный силовой трансформатор доступен в корпусах...
Подробности
Ультратонкий высокочастотный трансформатор, производитель компонентов серии ER Core
Серия ER
Трансформатор с высокой частотой переключения доступен...
Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор, производитель компонентов серии ETD
Серия ETD
Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником...
Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником PQ, корпус DIP
Серия PQ
Трансформатор с высокой частотой переключения оснащен...
Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником RM, SMD и DIP упаковка
Серия RM
Высокочастотный трансформатор доступен в корпусах...
Подробности- Скачивание файлов
Трансформатор высокой частоты для PoE решения серии PoE EP
Каталог PDF трансформаторов высокой частоты SMD PoE решения 3~27W
Скачать
SMD трансформатор PoE высокой эффективности, PoE до 27W - 3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE | Тайваньский производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
С 1990 года, базируясь на Тайване, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем преобразователей мощности, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают в себя SMD высокоэффективный PoE трансформатор, PoE до 27W, DC-DC преобразователи, AC-DC преобразователи, RJ45 магнитные компоненты, преобразовательные трансформаторы, LAN фильтры, высокочастотные трансформаторы, POE трансформаторы, индуктивности и драйверы для светодиодов, которые соответствуют стандартам RoHS и имеют внедренную ERP систему.
YDS была основана в 1990 году в Тайчжун, Тайвань, а наша фабрика Ho Mao electronics была основана в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы являемся ведущим производителем электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фильтр, всевозможные трансформаторы, осветительные продукты и аккумуляторы. Сертифицированный преобразователь мощности ISO 9001 и ISO 14001, IATF16949, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными лабораторными испытаниями на ЭМС и ЭМИ / ЭМС / ЭДС. Решения по преобразователям мощности для медицины, железных дорог, POE и т.д.
YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты, используя передовые технологии и 25-летний опыт, YDS гарантирует удовлетворение требований каждого клиента.