3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE / Более 32 лет производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты / YDS была основана в 1990 году в Тайнане, Тайване, а наш завод Ho Mao electronics был основан в 1995 году в Сямэне, Китае. Мы ведущий производитель электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949.

Трансформатор высокой эффективности, поддерживающий PoE до 27W, производитель компонентов серии EPC Core, упаковка SMD8, 10 - 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты
  • Трансформатор высокой эффективности, поддерживающий PoE до 27W, производитель компонентов серии EPC Core, упаковка SMD8, 10 - 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты

Трансформатор высокой эффективности, поддерживающий PoE до 27W, производитель компонентов серии EPC Core, упаковка SMD8, 10

Серия PoE EP

3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE

Трансформаторы разработаны для частоты переключения 200 кГц. Серия EP имеет функцию PoE, диапазон мощности составляет 3~27W. Есть широкий выбор размеров и значений на выбор.

YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.

Особенности
  • Трансформаторы для питания по Ethernet (PoE).
  • Разработаны для частоты переключения 200 кГц.
  • Мощность: 3W ~ 27W
  • Напряжение Hipot: 1500 Vrms
  • Доступны индивидуальные разработки.
Применения
  • компьютерное оборудование.
  • интернет-оборудование.
  • Система питания переменного тока.
  • промышленное управление.
  • телекоммуникационное оборудование.
Спецификация
  • Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
  • Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
  • Температура повторного пайки: +245°C максимум 10 секунд
  • Доступна версия, соответствующая RoHS.
EP7 8PIN SMD
Номер деталиКоэффициент поворота
При:Сек:Доп
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс (uH)
DCR ④
(Максимум Ом)
Выходное напряжение
ПриДопСек
07СЕН-5011СНЛ1:0.083:0.20850033 ~ 57В, 200КГц7.51.750.2150.015Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА
07СЕН-3111СНЛ1:0.182:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.600.045Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07СЕН-5012SNL1:0.125:0.20850033 ~ 57В, 200КГц7.51.750.2150.035Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07СЕН-3112SNL1:0.273:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.650.087Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07СЕН-5211SNL1:0.286:0.20452133 ~ 57В, 200КГц7.51.750.220.100Vo=12В/3Вт, 8В/20мА
07СЕН-3113СНЛ1:0.682:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.600.55Vo=12В/3Вт, 12В/20мА

① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между другими зажатыми выводами первичной обмотки.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с параллельно соединенными вторичными обмотками.

EP10 8PIN SMD
Номер деталиКоэффициент поворота
При:Сек:Доп
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс (uH)
DCR ④
(Максимум Ом)
СхемаВыходное напряжение
ПриДопСек
10СЕН-2502ТНЛ1:0.100:0.15025.236 ~ 72В,
300КГц
2.00.250.020.0035BVo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL1:0.083:0.20825333 ~ 57В,
200КГц
7.50.420.1150.0075AVo=3.3V/7W, 8V/20mA
10СЕН-1511СНЛ1:0.182:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.530.900.031AVo=3.3В/7Вт, 12В/20мА
10СЕН-2001СНЛ1:0.222:0.55520.49 ~ 50V,
200КГц
1.50.080.150.0075AVo=3.3V/10W, 8V/20mA
10СЕН-2001ФНЛ1:0.444:0.38820.49 ~ 50V,
200КГц
1.50.080.1050.03AVo=3.3V/10W, 5V/20mA
10СЕН-2513СНЛ1:0.125:0.20825333 ~ 57В,
200КГц
7.50.420.1150.016AVo=5В/7Вт, 8В/20мА
10СЕН-1512СНЛ1:0.273:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.571.000.040AVo=5В/7Вт, 12В/20мА
10СЕН-2611СНЛ1:0.286:0.20426433 ~ 57В,
200КГц
7.50.800.1150.045AVo=12В/7Вт, 8В/20мА
10СЕН-1611СНЛ1:0.682:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.540.920.37AVo=12В/7Вт, 12В/20мА

① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200 кГц, 0,1 В rms, 0 A dc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткими другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с подключенными параллельно вторичными обмотками.

EP13 10PIN SMD
Номер деталиКоэффициент поворота
При:Сек:Доп
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс (uH)
DCR ④
(Максимум Ом)
СхемаВыходное напряжение
ПриДопСек
13СЕН-1213ЗНЛ1:0.083:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.440.0880.006AVo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13СЕН-1611AUNL1:0.167:0.639155.533 ~ 57В,
200КГц
5.00.330.650.011BVo=3.3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL1:0.182:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
5.00.100.270.0085AVo=3.3V/13.5W, 12V/20mA
13СЕН-1212ZNL1:0.125:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.460.0940.012AVo=5В/13.5Вт, 8В/20мА
13СЕН-7701ZNL1:0.273:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
0.80.220.250.018AVo=5В/13.5Вт, 12В/20мА
13СЕН-1211ZNL1:0.292:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.460.0940.055AVo=12В/13.5Вт, 8В/20мА
13СЕН-7802ZNL1:0.682:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
5.00.100.270.075AVo=12В/13.5Вт, 12В/20мА
13СЕН-2801ZNL1:0.470:0.29428.933 ~ 57В,
200КГц
1.00.0580.0550.027AVo=15В/27Вт, 8В/20мА

① Соотношение витков с подключенными параллельно вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.2Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткозамкнутыми другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, подключенных параллельно.
⑤ Выход с подключенными параллельно вторичными обмотками.

Сертификация
Механические характеристики и размеры
Связанные продукты
Трансформатор с высокой частотой, PoE до 60W, SMD с платформами EFD15 - SMT - Платформы PoE EFD15 - SMT трансформатор с высокой частотой намотки провода
Трансформатор с высокой частотой, PoE до 60W, SMD с платформами EFD15 - SMT
Серия 15SEFD

Трансформатор с высокой частотой с обмоткой на платформах...

Подробности
Трансформатор высокой частоты, PoE до 95W, SMD с платформами EFD20 - SMT - Платформы PoE EFD20 - SMT трансформатор с проводом высокой частоты
Трансформатор высокой частоты, PoE до 95W, SMD с платформами EFD20 - SMT
Серия 20SEFD

Трансформатор высокой частоты имеет платформы EFD20-SMT...

Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор с ферритовым сердечником EE - Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником EE
Высокочастотный силовой трансформатор с ферритовым сердечником EE
Серия EE

Высокочастотный трансформатор доступен в корпусах...

Подробности
Высокочастотный трансформатор, производитель компонентов серии EPC с низким профилем - Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником EPC
Высокочастотный трансформатор, производитель компонентов серии EPC с низким профилем
Серия EPC

Высокочастотный силовой трансформатор доступен в корпусах...

Подробности
Высокочастотный силовой трансформатор, производитель компонентов серии ETD - Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником ETD
Высокочастотный силовой трансформатор, производитель компонентов серии ETD
Серия ETD

Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником...

Подробности
Производитель компонентов высокочастотного силового трансформатора, серия PQ Core - Высокочастотный силовой трансформатор с сердечником PQ
Производитель компонентов высокочастотного силового трансформатора, серия PQ Core
Серия PQ

Трансформатор с высокой частотой переключения оснащен...

Подробности
Скачивание файлов
Трансформатор высокой частоты для PoE решения серии PoE EP
Трансформатор высокой частоты для PoE решения серии PoE EP

Каталог PDF трансформаторов высокой частоты SMD PoE решения 3~27W

Скачать

Продукты

Трансформатор высокой эффективности, поддерживающий PoE до 27W, производитель компонентов серии EPC Core, упаковка SMD8, 10 - 3~27W PoE SMD трансформатор PD высокой частоты, 8PIN & 10PIN SMD упаковка, для приложений PoE | Тайваньский производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

С 1990 года, базируясь на Тайване, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем преобразователей мощности, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают в себя трансформаторы высокой эффективности, поддержку PoE до 27W, производителя компонентов серии EPC Core, упаковки SMD8 и SMD10, DC-DC преобразователи, AC-DC преобразователи, магнитные компоненты RJ45, преобразовательные трансформаторы, LAN фильтры, высокочастотные трансформаторы, POE трансформаторы, индуктивности и драйверы для светодиодов, которые соответствуют стандартам RoHS и имеют внедренную ERP систему.

YDS была основана в 1990 году в Тайчжун, Тайвань, а наша фабрика Ho Mao electronics была основана в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы являемся ведущим производителем электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фильтр, всевозможные трансформаторы, осветительные продукты и аккумуляторы. Сертифицированный преобразователь мощности ISO 9001 и ISO 14001, IATF16949, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными лабораторными испытаниями на ЭМС и ЭМИ / ЭМС / ЭДС. Решения по преобразователям мощности для медицины, железных дорог, POE и т.д.

YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты, используя передовые технологии и 25-летний опыт, YDS гарантирует удовлетворение требований каждого клиента.