محول تردد عالي SMD بقوة 3 واط إلى 27 واط مع EP core - محول طاقة تردد عالي SMD بقوة 3 إلى 27 واط مع PoE | شركة يوان دين العلمية المحدودة، مصنع مكونات مصدر الطاقة والمغناطيسية مقره تايوان | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
تم تصميم المحولات لتردد تبديل 200 كيلو هرتز. تحتوي سلسلة EP على وظيفة PoE ، ونطاق الطاقة هو 3 ~ 27 واط. هناك مجموعة واسعة من الأحجام والقيم للاختيار من بينها.
يمكن لـ YUAN DEAN توفير حلول إنتاج عالية الكفاءة ومنتجات مخصصة. YDS هو محول تردد عالي بنواة EP بقوة 3 واط إلى 27 واط ومزود بتقنية PoE ومصنع من قبل محول تردد عالي SMD بقوة 3 واط إلى 27 واط مع PoE في تايوان منذ عام 1990.نحن ننتج مجموعة متنوعة من المنتجات مثل محول DC/DC ، محول AC/DC ، RJ45 مع مغناطيس ، مرشح Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T ، جميع أنواع المحولات والملفات اللولبية ومنتجات تشغيل الصمامات / الإضاءة وبنك الطاقة.
محول تردد عالي SMD بقوة 3 واط إلى 27 واط مع EP core
سلسلة PoE EP
محول طاقة تردد عالي SMD بقوة 3 إلى 27 واط مع PoE
تم تصميم المحولات لتردد تبديل 200 كيلو هرتز. تحتوي سلسلة EP على وظيفة PoE ، ونطاق الطاقة هو 3 ~ 27 واط. هناك مجموعة واسعة من الأحجام والقيم للاختيار من بينها.
يمكن لـ YUAN DEAN توفير حلول إنتاج عالية الكفاءة ومنتجات مخصصة.
الميزات
- محولات لتوصيل الطاقة عبر الإيثرنت (PoE).
- مصممة لتردد تبديل 200 كيلوهرتز.
- الطاقة: 3 واط إلى 27 واط
- جهد الاختبار العالي: 1500 فولت تيار متردد
- تصاميم مخصصة متاحة.
التطبيقات
- معدات الكمبيوتر.
- معدات الإنترنت.
- نظام توريد الطاقة الرئيسي للتيار المتردد.
- التحكم الصناعي.
- معدات الاتصالات.
المواصفات
- نطاق درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
- نطاق درجة حرارة التخزين: -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
- درجة حرارة إعادة التدفق باللحام: +245 درجة مئوية لمدة 10 ثوانٍ كحد أقصى
- الإصدار المتوافق مع RoHS متاح.
EP7 8PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | المدخلات | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W، 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W، 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W، 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W، 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W، 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W، 12V/20mA |
① نسبة التحويل هي عندما يتم توصيل لفات الثانوية متوازية.
② L(NOM) = اللفة الاسمية هي للفة الأولية، وتم قياسها عند 200 كيلوهرتز، 0.1 فولت متر مربع، 0 أمبير تيار مستمر.
③ اللفائف الفاقدة تم قياسها بين دبابيس اللفة الأولية المتصلة بباقي الدبابيس.
④ DCR للفات الثانوية المتصلة متوازية.
⑤ الإخراج عندما يتم توصيل لفات الثانوية متوازية.
EP10 8PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | المدخلات | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | المخطط البياني | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 10سبتمبر-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72 فولت، 300 كيلوهرتز | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | ب | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | أ | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | أ | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50 فولت، 200 كيلوهرتز | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | أ | Vo=3.3V/10W، 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50 فولت، 200 كيلوهرتز | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | أ | Vo=3.3V/10W، 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | أ | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | أ | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | أ | Vo=12V/7W، 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | أ | Vo=12V/7W، 12V/20mA |
① نسبة التحويل مع توصيل الملفات الثانوية بتوازي.
② L(NOM) = اللفة الاسمية للملف الأولي، يتم قياسها عند 200 كيلوهرتز، 0.1 فولت متر مربع، 0 أمبير تيار مستمر.
③ اللفة الفاقدة المقاسة بين الملف الأولي والأقطاب الأخرى المتصلة.
④ DCR للملفات الثانوية المتصلة بتوازي.
⑤ الإخراج مع توصيل الملفات الثانوية متوازية.
EP13 10PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | المدخلات | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | المخطط البياني | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 13SEP-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | أ | Vo=3.3V/13.5W، 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | ب | Vo=3.3V/11W، 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | أ | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | أ | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | أ | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | أ | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | أ | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57 فولت، 200 كيلوهرتز | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | أ | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① نسبة التحويل مع توصيل الملفات الثانوية بتوازي.
② L(NOM) = اللفة الاسمية للملف الأولي، يتم قياسها عند 200 كيلوهرتز، 0.2 فولت متر مربع، 0 أمبير تيار مستمر.
③ اللفة الفاقدة المقاسة بين الملف الأولي والأطراف الأخرى المتصلة.
④ DCR للملفات الثانوية المتصلة بتوازي.
⑤ الإخراج مع توصيل الملفات الثانوية بتوازي.
الشهادة
- الميكانيكا والأبعاد
الميكانيكا والأبعاد لسلسلة ميكانيكية EP لـ PoE (EP7 8PIN)
الميكانيكا والأبعاد لسلسلة ميكانيكية EP لـ PoE (EP10 8PIN)
الميكانيكا والأبعاد لسلسلة ميكانيكية EP لـ PoE (EP13 10PIN)
- المنتجات ذات الصلة
محول عالي التردد SMD PoE مع منصات EFD15 - SMT
سلسلة 15SEFD
محول سلكي عالي التردد بمنصات EFD15 - SMT. نطاق الطاقة لسلسلة...
تفاصيل
محول عالي التردد SMD بمنصات PoE EFD20 - SMT
سلسلة 20SEFD
يتميز محول التردد العالي بمنصات EFD20 - SMT ووظيفة PoE. نطاق...
تفاصيل- تنزيل الملفات
المنتجات الساخنة
محول تردد عالي SMD بقوة 3 واط إلى 27 واط مع EP core - محول طاقة تردد عالي SMD بقوة 3 إلى 27 واط مع PoE | الشركة المصنعة لمزودات الطاقة والمكونات المغناطيسية المقرة في تايوان | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
مقرها في تايوان منذ عام 1990 ، YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. كانت شركة تصنيع محولات الطاقة والمحولات والمكونات المغناطيسية في صناعة المكونات الإلكترونية. منتجاتهم الرئيسية تشمل محول تردد عالي SMD بقوة 3W~27W مع نواة EP لتقنية PoE، محولات DC-DC، محولات AC-DC، مغناطيسات RJ45، محولات تحويل، مرشحات LAN، محولات تردد عالي، محولات POE، ملفات ملفوفة ومشغلات LED، والتي تحظى بموافقة RoHS مع تنفيذ نظام ERP.
تأسست YDS في عام 1990 في تاينان، تايوان ومصنعنا هو مصنع هو ماو للإلكترونيات تأسس في عام 1995 في شيامن، الصين. نحن الشركة الرائدة في تصنيع الإلكترونيات ذات الشهادات ISO 9001 و ISO 14001 و IATF16949 المعتمدة. نحن ننتج منتجات مختلفة مثل محول DC/DC، محول AC/DC، RJ45 مع مغناطيسات، مرشح شبكة Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T، جميع أنواع المحولات والملفات اللولبية، سائق LED/منتجات الإضاءة وبنك الطاقة. محول الطاقة المعتمد بمعايير ISO 9001 و ISO 14001 و IATF16949 ، محول التردد العالي ، المكون المغناطيسي مع اختبارات مختبر EMC و EMI / EMS / EDS الموثوقة. حلول محولات الطاقة للقطاع الطبي والسكك الحديدية وPOE وغيرها.
تقدم YDS للعملاء مصدر طاقة ومكونات مغناطيسية عالية الجودة، مع تكنولوجيا متقدمة وخبرة تمتد لمدة 25 عامًا، تضمن YDS تلبية مطالب كل عميل.