Трансформатор высокой частоты EP core 3W~27W SMD для применения в PoE

Серия PoE EP

Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD

Высокочастотный трансформатор 3~27 Вт с сердечником EP. Серия EP разработана для частоты переключения 200 кГц. Может использоваться в приложениях PoE.

YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.

Мы рады любым OEM/ODM требованиям. С нетерпением ждем сотрудничества с вами!

Узнать сейчас

SMD-трансформатор высокой частоты PoE 3 Вт ~ 27 Вт (серия PoE EP)

Особенности

Трансформаторы для передачи питания по Ethernet (PoE).
Разработаны для частоты переключения 200 кГц.
Мощность: 3 Вт ~ 27 Вт
Испытательное напряжение: 1500 В переменного тока
Возможны индивидуальные проекты.

Приложения

компьютерное оборудование.
интернет-оборудование.
система основного питания переменного тока.
промышленное управление.
телекоммуникационное оборудование.

Спецификация

Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
Температура пайки: +245°C, не более 10 секунд
Доступна версия, соответствующая требованиям RoHS.

EP7 8PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Выходное напряжение ⑤
07SEP-5011SNL	1:0.083:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.015	Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА
07SEP-3111SNL	1:0.182:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.045	Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07SEP-5012SNL	1:0.125:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.035	Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07SEP-3112SNL	1:0.273:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.65	0.087	Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07SEP-5211SNL	1:0.286:0.204	521	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.22	0.100	Vo=12V/3W, 8V/20mA
07SEP-3113SNL	1:0.682:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.55	Vo=12V/3W, 12V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 В, 0 А.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.

EP10 8PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Схема	Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Схема	Выходное напряжение ⑤
10СЕН-2502ТНЛ	1:0.100:0.150	25.2	36 ~ 72В, 300КГц	2.0	0.25	0.02	0.0035	B	Vo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL	1:0.083:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.0075	A	Vo=3.3V/7W, 8V/20mA
10SEP-1511SNL	1:0.182:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.53	0.90	0.031	A	Vo=3.3V/7W, 12V/20mA
10SEP-2001SNL	1:0.222:0.555	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.15	0.0075	A	Vo=3.3V/10W, 8V/20mA
10SEP-2001FNL	1:0.444:0.388	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.105	0.03	A	Vo=3.3V/10W, 5V/20mA
10SEP-2513SNL	1:0.125:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.016	A	Vo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL	1:0.273:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.57	1.00	0.040	A	Vo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL	1:0.286:0.204	264	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.80	0.115	0.045	A	Vo=12V/7W, 8V/20mA
10SEP-1611SNL	1:0.682:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.54	0.92	0.37	A	Vo=12V/7W, 12V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход осуществляется с параллельным подключением вторичных обмоток.

EP13 10PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Схема	Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Схема	Выходное напряжение ⑤
13СЕН-1213ЗНЛ	1:0.083:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.44	0.088	0.006	A	Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL	1:0.167:0.639	155.5	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.33	0.65	0.011	B	Vo=3.3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL	1:0.182:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.10	0.27	0.0085	A	Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1212ZNL	1:0.125:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0.012	A	Vo=5V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7701ZNL	1:0.273:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	0.8	0.22	0.25	0.018	A	Vo=5V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1211ZNL	1:0.292:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0.055	A	Vo=12V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7802ZNL	1:0.682:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.10	0.27	0.075	A	Vo=12V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-2801ZNL	1:0.470:0.294	28.9	33 ~ 57В, 200КГц	1.0	0.058	0.055	0.027	A	Vo=15V/27W, 8V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,2 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми в короткое замыкание.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.

Сертификация

Механика и габариты

Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP7 8PIN)
Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP10 8PIN)
Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP13 10PIN)

Связанные продукты

Трансформатор с высокой частотой и проводом SMD с ядром EFD15 для применения в PoE

Серия 15SEFD

Трансформатор высокой частоты на платформах EFD15-SMT...

Подробности

PoE SMD высокочастотный силовой трансформатор с ядром EFD20

Серия 20SEFD

Платформы EFD20 - SMT высокочастотный трансформатор с функцией...

Подробности

Загрузка файлов

Высокочастотный трансформатор для решений PoE Solution серии PoE EP

Каталог PDF-файлов по SMD-трансформаторам высокой частоты для решений PoE Solution мощностью...

Скачать

Трансформатор высокой частоты EP core 3W~27W SMD для применения в PoE - Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD | Производитель и поставщик источников питания и магнитных компонентов на Тайване | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Основанная в Тайване с 1990 года, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем источников питания, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают EP-ядро 3W~27W SMD высокочастотный трансформатор для применения в PoE, преобразователи DC-DC, преобразователи AC-DC, магниты RJ45, преобразовательные трансформаторы, фильтры LAN, высокочастотные трансформаторы, трансформаторы PoE, индукторы и драйверы LED, которые имеют сертификат RoHS и реализованную систему ERP.

YDS была основана в 1990 году в Тайнане, Тайвань, а наш завод Ho Mao electronics был основан в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы ведущий производитель электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитными элементами, фильтр Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, все виды трансформаторов, индукторов, светодиодных драйверов/осветительных изделий и портативных зарядных устройств. Сертифицированный по стандартам ISO 9001 и ISO 14001, IATF16949 преобразователь питания, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными испытаниями EMC и EMI / EMS / EDS в лаборатории. Решения по преобразованию электроэнергии для медицинских, железнодорожных, POE и других отраслей.

YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты с использованием передовых технологий и 25-летним опытом. YDS гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.

Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD / Более 32 лет производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.