Трансформатор високої частоти EP ядра 3W~27W SMD для застосування PoE

Серія PoE EP

Трансформатор живлення високої частоти PoE 3~27W з пакетом SMD

Високочастотний трансформатор 3~27 Вт з серією EP. Серія EP призначена для переключення з частотою 200 кГц. Вона може використовуватися в застосунках PoE.

YUAN DEAN може надати високоефективні рішення для виробництва та індивідуальні продукти.

Ласкаво просимо будь-які OEM/ ODM вимоги. Ми з нетерпінням чекаємо на співпрацю з вами!

Запитуйте зараз

SMD високочастотний трансформатор PoE 3 Вт ~ 27 Вт (серія EP для PoE)

Особливості

Трансформатори для передачі електроживлення через Ethernet (PoE).
Призначені для переключення з частотою 200 кГц.
Потужність: 3 Вт ~ 27 Вт
Напруга випробування: 1500 В ефективного значення
Доступні індивідуальні розробки.

Застосування

комп'ютерне обладнання.
інтернет-обладнання.
система живлення основного змінного струму.
промислове керування.
телекомунікаційне обладнання.

Специфікація

Діапазон робочої температури: -40°C до +125°C
Діапазон температури зберігання: -55°C до +125°C
Температура пайки: +245°C протягом 10 секунд максимум
Доступна версія, відповідна вимогам RoHS.

EP7 8PIN SMD

Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омів МАКС)			Вихідна напруга ⑤
Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Вихідна напруга ⑤
07SEP-5011SNL	1:0.083:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.015	Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА
07SEP-3111SNL	1:0,182:0,682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.045	Vo=3.3В/3Вт, 12В/20мА
07SEP-5012SNL	1:0.125:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.035	Vo=5.00В/3Вт, 8В/20мА
07SEP-3112SNL	1:0.273:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.65	0.087	Vo=5.00В/3Вт, 12В/20мА
07SEP-5211SNL	1:0.286:0.204	521	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0,22	0.100	Vo=12В/3Вт, 8В/20мА
07SEP-3113SNL	1:0.682:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.55	Vo=12В/3Вт, 12В/20мА

① Відношення витрати з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,1 Вrms, 0 Аdc.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинними іншими контактами, замкнутими разом.
④ DCR для вторинних обмоток, з'єднаних паралельно.
⑤ Вихід з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.

EP10 8PIN SMD

Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омів МАКС)			Схема	Вихідна напруга ⑤
Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Схема	Вихідна напруга ⑤
10ВЕР-2502ТНЛ	1:0.100:0.150	25.2	36 ~ 72В, 300КГц	2.0	0,25	0.02	0.0035	Б	Vo=3.3В/10Вт, 5В/100мА
10SEP-2512SNL	1:0.083:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.0075	A	Vo=3.3В/7Вт, 8В/20мА
10ВЕР-1511СНЛ	1:0,182:0,682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.53	0.90	0.031	A	Vo=3.3В/7Вт, 12В/20мА
10ВЕР-2001СНЛ	1:0.222:0.555	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.15	0.0075	A	Vo=3.3В/10Вт, 8В/20мА
10SEP-2001FNL	1:0.444:0.388	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.105	0.03	A	Vo=3.3В/10Вт, 5В/20мА
10SEP-2513SNL	1:0.125:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.016	A	Vo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL	1:0.273:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.57	1.00	0.040	A	Vo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL	1:0.286:0.204	264	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.80	0.115	0.045	A	Vo=12В/7Вт, 8В/20мА
10SEP-1611SNL	1:0.682:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.54	0.92	0.37	A	Vo=12В/7Вт, 12В/20мА

① Відношення обертів з вторинними обмотками, з'єднаними паралельно.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,1 В рмс, 0 А постійного струму.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинною обмоткою та іншими контактами, замкнутими між собою.
④ DCR для вторинних обмоток, з'єднаних паралельно.
⑤ Вихід здійснюється з послідовно підключеними вторинними обмотками.

EP13 10PIN SMD

Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омів МАКС)			Схема	Вихідна напруга ⑤
Номер частини	Коефіцієнт обертання Пер:Вт:ДОП ①	L ② (uH ± 10%)	Введення	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Аукс	Сек	Схема	Вихідна напруга ⑤
13ВЕР-1213ЗНЛ	1:0.083:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.44	0.088	0.006	A	Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL	1:0.167:0.639	155.5	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0,33	0,65	0,011	Б	Vo=3,3В/11Вт, 12В/20мА
13SEP-7801ZNL	1:0,182:0,682	77,4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0,10	0,27	0.0085	A	Vo=3.3В/13.5Вт, 12В/20мА
13SEP-1212ZNL	1:0.125:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0.012	A	Vo=5В/13.5Вт, 8В/20мА
13SEP-7701ZNL	1:0.273:0.682	77,4	33 ~ 57В, 200КГц	0,8	0,22	0,25	0,018	A	Vo=5V/13,5W, 12V/20мА
13SEP-1211ZNL	1:0,292:0,208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0,055	A	Vo=12V/13,5W, 8V/20мА
13SEP-7802ZNL	1:0.682:0.682	77,4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0,10	0,27	0.075	A	Vo=12В/13.5Вт, 12В/20мА
13SEP-2801ZNL	1:0.470:0.294	28.9	33 ~ 57В, 200КГц	1.0	0.058	0,055	0.027	A	Vo=15В/27Вт, 8В/20мА

① Відношення витрати зі з'єднаними в паралель вторинними обмотками.
② L(NOM) = Номінальна індуктивність для первинної обмотки, виміряна при 200 кГц, 0,2 Вrms, 0 Аdc.
③ Витікання індуктивності, виміряне між первинною обмоткою та іншими контактами, замкнутими в коротке з'єднання.
④ DCR для з'єднаних в паралель вторинних обмоток.
⑤ Вихід зі з'єднаними в паралель вторинними обмотками.

Сертифікація

Механічні та габаритні характеристики

Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP7 8PIN)
Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP10 8PIN)
Механічні та габаритні розміри серії PoE EP (EP13 10PIN)

Пов'язані продукти

SMD високочастотний трансформатор з ядром EFD15 для застосувань PoE

Серія 15SEFD

Трансформатор високої частоти має платформи EFD15-SMT...

Деталі

PoE SMD високочастотний силовий трансформатор з ядром EFD20

Серія 20SEFD

Платформи EFD20 - SMT високочастотний трансформатор з функцією...

Деталі

Завантаження файлів

Високочастотний трансформатор для рішення PoE серії PoE EP

Каталог PDF-файлів SMD високочастотних трансформаторів рішень PoE 3~27 Вт

Завантажити

Трансформатор високої частоти EP ядра 3W~27W SMD для застосування PoE - Трансформатор живлення високої частоти PoE 3~27W з пакетом SMD | Виробник джерел живлення та магнітних компонентів з Тайваню | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Заснована в Тайвані з 1990 року, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. є виробником перетворювачів, трансформаторів та магнітних компонентів в галузі електронних компонентів. Їхні основні продукти включають EP-ядро 3W~27W SMD високочастотний трансформатор для застосування PoE, DC-DC конвертери, AC-DC конвертери, RJ45 магніти, трансформатори-конвертери, LAN фільтри, високочастотні трансформатори, PoE трансформатори, індуктивності та LED драйвери, які мають сертифікат RoHS та впроваджену систему ERP.

YDS була заснована в 1990 році в Тайнані, Тайвань, а наш завод Ho Mao electronics був заснований в 1995 році в Сямені, Китай. Ми є провідним виробником електроніки з сертифікатами ISO 9001, ISO 14001 та IATF16949. Ми виробляємо різноманітні продукти, такі як DC/DC конвертер, AC/DC конвертер, RJ45 з магнітами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фільтр, всі види трансформаторів, індукторів, LED драйверів/освітлювальних продуктів та Power bank. Сертифікований перетворювач потужності, високочастотний трансформатор та магнітний компонент з надійними EMC та EMI / EMS / EDS лабораторними випробуваннями згідно з ISO 9001 та ISO 14001, IATF16949. Рішення по перетворенню енергії для медичних, залізничних, POE тощо.

YDS пропонує клієнтам високоякісні джерела живлення та магнітні компоненти, які поєднують у собі передову технологію та 25-річний досвід. YDS гарантує задоволення потреб кожного клієнта.

Трансформатор живлення високої частоти PoE 3~27W з пакетом SMD / Понад 32 роки виробник блоків живлення та магнітних компонентів | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.