EP-Kern 3W~27W SMD Hochfrequenztransformator für PoE-Anwendung

PoE EP Serie

3~27W PoE Hochfrequenzleistungstransformator mit SMD-Gehäuse

3~27W Hochfrequenztransformator mit EP-Kern. Die EP-Serie ist für eine Schaltfrequenz von 200 kHz ausgelegt. Kann in PoE-Anwendungen verwendet werden.

YUAN DEAN kann effiziente Produktionslösungen und maßgeschneiderte Produkte anbieten.

Jede OEM/ODM-Anforderung ist willkommen. Wir freuen uns auf eine Zusammenarbeit mit Ihnen!

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PoE 3W ~ 27W SMD Hochfrequenztransformator (PoE EP-Serie)

Funktionen

Transformatoren für Power over Ethernet (PoE).
Entwickelt für eine Schaltfrequenz von 200 kHz.
Leistung: 3W ~ 27W
Hipot-Spannung: 1500 Vrms
Kundenspezifische Designs verfügbar.

Anwendungen

Computerausrüstung.
Internetausrüstung.
AC-Hauptstromversorgungssystem.
Industrielle Steuerung.
Telekomausrüstung.

Spezifikation

Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +125°C
Lagertemperaturbereich: -55°C bis +125°C
Lötreflow-Temperatur: +245°C für maximal 10 Sekunden
RoHS-konforme Version ist verfügbar.

EP7 8PIN SMD

Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	DCR ④ (Maximal Ohm)			Ausgangsspannung ⑤
Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	Pri	Aux	Sec	Ausgangsspannung ⑤
07SEP-5011SNL	1:0.083:0.208	500	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	1.75	0.215	0.015	Vo=3.3V/3W, 8V/20mA
07SEP-3111SNL	1:0,182:0,682	310	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	1.60	2,60	0,045	Vo=3,3V/3W, 12V/20mA
07SEP-5012SNL	1:0,125:0,208	500	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	1.75	0.215	0,035	Vo=5,00V/3W, 8V/20mA
07SEP-3112SNL	1:0,273:0,682	310	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	1.60	2,65	0,087	Vo=5,00V/3W, 12V/20mA
07SEP-5211SNL	1:0,286:0,204	521	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	1.75	0,22	0.100	Vo=12V/3W, 8V/20mA
07SEP-3113SNL	1:0.682:0.682	310	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	1.60	2,60	0.55	Vo=12V/3W, 12V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis gilt für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
② L(NOM) = Nenninduktivität für die Primärwicklung, gemessen bei 200 kHz, 0,1 Vrms, 0 Adc.
③ Streuinduktivität, gemessen zwischen den Primäranschlüssen, wenn die anderen Anschlüsse kurzgeschlossen sind.
④ DCR für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
⑤ Die Ausgabe erfolgt mit den sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.

EP10 8PIN SMD

Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	DCR ④ (Maximal Ohm)			Schematisch	Ausgangsspannung ⑤
Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	Pri	Aux	Sec	Schematisch	Ausgangsspannung ⑤
10SEP-2502TNL	1:0.100:0.150	25.2	36 ~ 72V, 300KHZ	2.0	0,25	0.02	0.0035	B	Vo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL	1:0.083:0.208	253	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0.42	0.115	0.0075	A	Vo=3.3V/7W, 8V/20mA
10SEP-1511SNL	1:0,182:0,682	155	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0.53	0.90	0.031	A	Vo=3.3V/7W, 12V/20mA
10SEP-2001SNL	1:0.222:0.555	20.4	9 ~ 50V, 200KHZ	1,5	0,08	0,15	0.0075	A	Vo=3,3V/10W, 8V/20mA
10SEP-2001FNL	1:0,444:0,388	20.4	9 ~ 50V, 200KHZ	1,5	0,08	0,105	0,03	A	Vo=3,3V/10W, 5V/20mA
10SEP-2513SNL	1:0,125:0,208	253	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0.42	0.115	0,016	A	Vo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL	1:0,273:0,682	155	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0,57	1,00	0,040	A	Vo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL	1:0,286:0,204	264	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0,80	0.115	0,045	A	Vo=12V/7W, 8V/20mA
10SEP-1611SNL	1:0.682:0.682	155	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0,54	0,92	0,37	A	Vo=12V/7W, 12V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis gilt für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
② L(NOM) = Nenninduktivität für die Primärwicklung, gemessen bei 200 kHz, 0,1 Vrms, 0 Adc.
③ Streuinduktivität gemessen zwischen Primärwicklung und anderen Anschlüssen.
④ Gleichstromwiderstand (DCR) für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
⑤ Die Ausgabe erfolgt mit den sekundären Wicklungen parallel geschaltet.

EP13 10PIN SMD

Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	DCR ④ (Maximal Ohm)			Schematisch	Ausgangsspannung ⑤
Teilenummer	Umdrehungsverhältnis Pri:Sek:AUX ①	L ② (uH ± 10%)	Eingabe	LK ③ Max (µH)	Pri	Aux	Sec	Schematisch	Ausgangsspannung ⑤
13SEP-1213ZNL	1:0.083:0.208	127	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0,44	0,088	0,006	A	Vo=3,3V/13,5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL	1:0,167:0,639	155,5	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0,33	0,65	0,011	B	Vo=3,3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL	1:0,182:0,682	77,4	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0,10	0,27	0.0085	A	Vo=3,3V/13,5W, 12V/20mA
13SEP-1212ZNL	1:0,125:0,208	127	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0,46	0,094	0,012	A	Vo=5V/13,5W, 8V/20mA
13SEP-7701ZNL	1:0,273:0,682	77,4	33 ~ 57V, 200KHZ	0,8	0,22	0,25	0,018	A	Vo=5V/13,5W, 12V/20mA
13SEP-1211ZNL	1:0,292:0,208	127	33 ~ 57V, 200KHZ	7,5	0,46	0,094	0,055	A	Vo=12V/13,5W, 8V/20mA
13SEP-7802ZNL	1:0.682:0.682	77,4	33 ~ 57V, 200KHZ	5,0	0,10	0,27	0.075	A	Vo=12V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-2801ZNL	1:0.470:0.294	28.9	33 ~ 57V, 200KHZ	1.0	0.058	0,055	0.027	A	Vo=15V/27W, 8V/20mA

① Das Übersetzungsverhältnis gilt für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
② L(NOM) = Nenninduktivität für die Primärwicklung, gemessen bei 200 kHz, 0,2 Vrms, 0 Adc.
③ Streuinduktivität zwischen Primärwicklung und anderen Anschlüssen gemessen.
④ DCR für die sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.
⑤ Die Ausgabe erfolgt mit den sekundären Wicklungen, die parallel geschaltet sind.

Zertifizierung

Mechanik und Abmessungen

PoE EP Serie Mechanik und Abmessungen (EP7 8PIN)
PoE EP Serie Mechanik und Abmessungen (EP10 8PIN)
PoE EP Serie Mechanik und Abmessungen (EP13 10PIN)

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Hochfrequenztransformator für PoE-Lösung PoE-EP-Serie

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EP-Kern 3W~27W SMD Hochfrequenztransformator für PoE-Anwendung - 3~27W PoE Hochfrequenzleistungstransformator mit SMD-Gehäuse | Taiwanischer Hersteller von Stromversorgungen und magnetischen Komponenten | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Seit 1990 mit Sitz in Taiwan ist YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ein Hersteller von Stromwandlern, Transformatoren und magnetischen Komponenten in der Elektronikkomponentenindustrie. Zu ihren Hauptprodukten gehören EP-Kern-3W~27W SMD-Hochfrequenztransformatoren für PoE-Anwendungen, DC-DC-Wandler, AC-DC-Wandler, RJ45-Magnetik, Konvertertransformatoren, LAN-Filter, Hochfrequenztransformatoren, POE-Transformatoren, Induktoren und LED-Treiber, die RoHS-zertifiziert sind und ein ERP-System implementiert haben.

YDS wurde 1990 in Tainan, Taiwan gegründet und unsere Fabrik Ho Mao Electronics wurde 1995 in Xiamen, China gegründet. Wir sind der führende Elektronikhersteller mit ISO 9001, ISO 14001 und IATF16949 Zertifizierung. Wir produzieren verschiedene Produkte wie DC/DC-Wandler, AC/DC-Wandler, RJ45 mit Magneten, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T-LAN-Filter, alle Arten von Transformatoren, Induktoren, LED-Treiber/Beleuchtungsprodukte und Powerbanks. ISO 9001 & ISO 14001 zertifizierter Leistungsumwandler, Hochfrequenztransformator, magnetische Komponente mit zuverlässigen EMC- und EMI / EMS / EDS-Labortests. Leistungsumwandlerlösungen für medizinische, Eisenbahn-, POE usw.

YDS bietet Kunden seit 25 Jahren hochwertige Stromversorgungs- und Magnetkomponenten mit fortschrittlicher Technologie an und erfüllt damit die Anforderungen jedes Kunden.

EP-Kern 3W~27W SMD Hochfrequenztransformator für PoE-Anwendung - 3~27W PoE Hochfrequenzleistungstransformator mit SMD-Gehäuse | Taiwanesischer Hersteller von Stromversorgungen und magnetischen Komponenten | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

3~27W PoE Hochfrequenzleistungstransformator mit SMD-Gehäuse / Über 32 Jahre Hersteller von Stromversorgungen und magnetischen Bauteilen | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

PoE 3W~27W SMD Hochfrequenztransformator / YDS wurde 1990 in Tainan, Taiwan gegründet und unsere Fabrik Ho Mao Electronics wurde 1995 in Xiamen, China gegründet. Wir sind der führende Elektronikhersteller mit ISO 9001, ISO 14001 und IATF16949 Zertifizierung.